БЭС:
Большой
Советский
Энциклопедический
Словарь

Термины:

ДРЕНАЖНЫЕ ТРУБЫ, часть конструкции горизонтального дренажа.
ЕДИНАЯ ДЕМОКРАТИЧЕСКАЯ ЛЕВАЯ ПАРТИЯ (Eniaia Demokratike Aristera, ЭДА).
ЖЕЛЕЗО САМОРОДНОЕ, по условиям нахождения различаются теллурическое.
ЖУРНАЛИСТСКОЕ ОБРАЗОВАНИЕ, система подготовки лит. сотрудников.
КАССОВЫЙ ПЛАН Госбанка СССР.
КЛИСТРОН [от греч. klyzo - ударять, окатывать (волной) и (элек)трон].
АЙСАН, озеро в межгорной котловине среди отрогов.
ЗАЩИТА ОРГАНИЗМА ОТ ИЗЛУЧЕНИЙ ионизирующих.
ЗЕРКАЛЬНО-ЛИНЗОВЫЙ ТЕЛЕСКОП, катадиоптрический телескоп.
ЗУБР (Bison bonasus), европейский дикий лесной бык.


Фирмы: адреса, телефоны и уставные фонды - справочник предприятий оао в экономике.

Большая Советская Энциклопедия - энциклопедический словарь:А-Б В-Г Д-Ж З-К К-Л М-Н О-П Р-С Т-Х Ц-Я

139861221536085229101воего гос-ва из Лалитпура. Город сохранял значение политич. центра Непальской долины во время правления династии ранних Малла (13-15 вв.). После распада гос-ва ранних Малла К. в 1482-1769 - центр одноимённого удельного княжества. С 1769, с момента воссоздания Притхви Нараяном централизованного непальского гос-ва, К.- столица Непала.

Катманду. Общий вид города.


К.- важный трансп. узел страны, здесь сходятся три осн. шосс. дороги - Трибхуван раджпатх (идёт на Ю., в Индию), Притхви раджпатх (следует на 3., в г. Покхара), Арнико раджмарг (на С., в Кодари). Аэропорт Трибхуван (воздушное сообщение с др. городами Непала, а также с Индией, Бангладеш, Бирмой, Таиландом). В городе и пригородах сосредоточены многочисл. кустарные художеств, ремесл. мастерские (изготовление предметов прикладного иск-ва, ювелирных изделий и т. п.) и отд. предприятия (кож.-обув., текст., ремонтно-меха-нические, гончарные, кирпично-черепич-ный з-д и др.).

Центр К.- площадь Тундикхел, близ к-рой находится королев, дворец Ha-раянхити Дарбар (неоклассика, нач. 20 в.). К 3.- самая оживлённая улица - Нью роуд. Старые кварталы с узкими улочками застроены 2-3-этажными домами в нац. стиле. Над старыми постройками возвышаются совр. здания гостиниц, почтамта, универсального магазина и др. Архит. памятники: деревянная пагода Катх Мандир (Кастамандап; 1596), комплекс дворцов и храмов "Хануман Дхока" (15-18 вв.), дворец Сингха Дар-бар (неоклассика, нач. 20 в.), башня Бхи-мсена (1834), Памятник борцам революции 1951. Близ К. ступа Бодхнатх и архит.-скульптурный комплекс Сваямбхунатх с кам. буддийскими рельефами 6-8 вв. (оба сооружения - 3 в. до н. э., перестроены в 8-9 вв.), комплекс индуистских храмов Пашупатинатх (заложен в 13 в.).

В К. находятся ун-т им. Трибхувана и прикреплённые к нему Тричандра-колледж, Нац. колледж Непала и др., Санскритский колледж, Королевская академия Непала, Национальная, Центральная и др. библиотеки, Нац. музей Непала.


КАТО (Каtо) Генити (р.1890, преф.Окаяма), японский физиолог. Окончил ун-т Киото (1916). Проф. ун-та Кэйо в Токио (с 1919). Основоположник японской школы физиологов. Один из основателей микрофизиологии нервов и мышц; разработал методику препарирования и раздражения одиночных изолированных мышечных и нервных волокон, на к-рых он исследовал осн. законы возбуждения. К. показал, что раздражающее действие электрич. тока и химич. агентов в миели-новых нервных волокнах осуществляется через т. н. перехваты Ранвье, что способствовало открытию "скачкообразного" проведения импульсов в мякотных волокнах.

Соч.: The microphysiology of nerve, Tokyo, 1934.

КАТО Киёмаса (1562-1611), японский полководец. Служил второму из трёх феод, правителей Японии кон. 16 в. Хидэёси Тоётоми, к-рому приходился родственником. Отличился в ряде битв в ходе объединит, войн, к-рые вёл Хидэёси Тоётоми. Во время похода, предпринятого япон. войсками против Кореи в 1592-93, командовал авангардной армией. Во время 2-го похода (1597-98) вёл бои в Ульсане.Оба эти похода закончились разгромом японцев. В 1600 в битве при Секигахара К. сражался на стороне третьего феод, объединителя Японии Иэясу Токугава. В дальнейшем перешёл на сторону Хидэёри - сына Хидэёси Тоётоми.

КАТОВИЦЕ (Katowice), город на Ю. Польши. Адм. ц. Катовицкого воеводства. 302 тыс. жит. (1970). Самый крупный город в Верхнесилезской агломерации. Ж.-д. узел. Важный пром. центр (83 тыс. занятых в пром-сти). Добыча кам. угля (Верхнесилезский каменноугольный бассейн), чёрная и цветная (в т. ч. произ-во цинка, свинца, проката цветных металлов) металлургия; машиностроение (горное, подъёмно-транспортное, электротехника); хим. (суперфосфат и др. химикаты), фарфоровая, пищ., полиграфич. пром-сть. Ун-т (с 1968), Высшая экономич. школа, Академия художеств.

Впервые упоминается в источниках под назв. К. в 1598. С 1742 находился под властью Пруссии. В 1865 получил нем. гор. право. Подвергался усиленной германизации. В 1919-21 К.- один из центров вооруж. выступлений польск. населения Верх. Силезии, направленных на нац. и социальное освобождение. По решению Совета Лиги Наций возвращён (20 янв. 1922) Польше. В 1923 важнейший центр всеобщей забастовки силезских горняков, организованной единофронто-вым "Комитетом 21" (избран представителями 46 шахт и заводов Верх. Силезии). В сент. 1939 К. оккупирован нем.-фаш. войсками. 28 янв. 1945 освобождён войсками 1-го Укр. фронта.

Историч. ядро К.- р-н Сьрудместье с центр, пл. Рынок и шахматной сетью улиц. Интенсивный рост К. начался после 1945. С 1958 возводится новый центр, строятся обществ, и жилые здания: универмаг "Зенит" (1962), кинотеатр "Космос" (1959-65), спортивный зал (1960-е гг.), многоэтажные дома в р-нах Кошутка, Мархлевского и др. Памятник силезским повстанцам на ул. Сов. Армии (камень, 1960-е гг., скульптор Г. Земла, архитектор В. Заблоцкий). Близ К, - памятник силезским повстанцам (камень, 1949-52, скульптор К. Дуниковский).

Лит.: Katowice, miasto nasze, Katowice, 1960.


КАТОВИЦКОЕ ВОЕВОДСТВО (Wojewodztwo Katowickie), адм. единица на Ю. Польши. Пл. 9,6 тыс. км2. Нас. 3730 тыс. чел. (1971), в т. ч. 77% городского. Адм. ц.- г. Катовице. Индустриальный р-н, на территории к-рого находится основная часть Верхнесилезского каменноугольного бассейна. Из всех занятых в пром-сти (850 тыс. чел.) 3Is сосредоточено в Верхнесилезской агломерации . К. в. даёт ок. '/з валовой пром. продукции страны (1971), ок. '/2 произ-ва стали и кокса, около 4/3 цинка, почти 9/10 добычи кам. угля, св. 3/4 железной (рудники близ Ченстоховы) и ок. '/з свинцово-цинковых руд, 1/6 электроэнергии. Развито машиностроение (190 тыс. занятых), особенно металлоёмкие производства и электротехника; создаётся автостроение; имеется произ-во строит, материалов, химич., пищ., текст, пром-сть. 31% площади К. в. занимают леса, 55% -с.-х. угодья, в т.ч. 41% - пашня. Гл. с.-х. культуры - картофель и рожь; овощеводство и молочно-мясное животноводство; поголовье (1971, в тыс. голов): кр. рогатого скота 264 (в т. ч. коров 158), свиней 355, овец 197, лошадей 35. ю. В. Илинич.

Лит.: Katowickie. Rozwdj wojewodztwa w Polsce Ludowej, [Warsz., 1970].

КАТОД (от греч. kathodos - ход вниз, от kata - вниз и hodos - путь, движение; предложено англ, физиком M. Фара-деем в 1834), 1) электрод электровакуумного прибора или газоразрядного ионного прибора, служащий источником электронов, обеспечивающих проводимость междуэлектродного пространства в вакууме либо поддерживающих стационарность прохождения электрич. тока в газе. В зависимости от механизма испускания (эмиссии) электронов различают термоэлектронные катоды, фотоэлектронные катоды (фотокатоды), холодные катоды и др. 2) Отрицательно заряженный электрод (полюс) источника тока (гальванич. элемента, аккумулятора и др.). 3) Электрод электролитич. ванны, электрич. дуги и нек-рых др. тому подобных устройств, присоединяемый к отрицательному полюсу источника тока.


КАТОДНОЕ ПАДЕНИЕ потенциала, относительно быстрое падение потенциала вблизи катода в электрическом разряде в газе. Чаще всего К. п. обусловлено избытком положит, ионов у катода, образующим положит, пространственный заряд, к-рый экранирует катод. Однако в нек-рых видах несамосто-ят. электрич. тока в газе при интенсивной электронной эмиссии из катода возникает К. п., создаваемое отрицат. пространственным зарядом (избыток электронов); такое К. п. ограничивает эмиссию и препятствует дальнейшему увеличению пространств, заряда. В зоне К. п. и в непосредственной близости к ней идут осн. процессы, обеспечивающие протекание электрич. тока в газе. Коренные отличия между разными формами газового разряда обусловлены именно особенностями и различиями этих прикатодных процессов. Качественное своеобразие процессов в зоне К. п. количественно проявляется в величине К. п., специфичной для данного вида разряда. Напр., малая величина К. п.-порядка ионизационного потенциала газа и меньше (1-10 в)- является наиболее характерной чертой дугового разряда, а высокие К. п., измеряемые MH. сотнями в, отличают тлеющий разряд от др. видов тока в газе. (Со стороны, противоположной катоду, зона К. п. примыкает в дуговом разряде к квазинейтральному плазменному промежутку, наз. положительным столбом, в тлеющем разряде - к области т.н. отрицательного свечения.) Конкретная величина К. п. зависит от рода газа, материала катода и состояния его поверхности. К. п. не зависит от расстояния между электродами и от величины разрядного тока в широком интервале значений последнего. Лишь при достаточно больших токах К. п. сильно возрастает (аномальное К. п.) - до MH. десятков в в дуговом разряде и до неск. тысяч в в тлеющем разряде.

Лит. см. при ст. Электрический разряд в газах. А. К. Мусин.

КАТОДНОЕ РАСПЫЛЕНИЕ, ионное распыление, разрушение отрицательного электрода (катода) в газовом разряде под действием ударов положительных ионов. В более широком смысле - разрушение твёрдого вещества при его бомбардировке заряженными или нейтральными частицами.

К. р., с одной стороны, нежелательное явление, уменьшающее срок службы электровакуумных приборов; с др. стороны, К. р. имеет практич. применение для очистки поверхностей, выявления структуры вещества (ионное травление), нанесения тонких плёнок, для получения направленных молекулярных пучков и т. д. Бомбардирующие ионы, проникая в глубь мишени, вызывают смещение её атомов. Эти смещённые атомы, в свою очередь, могут вызывать новые смещения и т. д. Часть атомов при этом достигает поверхности вещества и выходит за её пределы. При определённых условиях частицы могут покидать поверхность мишени в виде ионов (см. Ионная эмиссия). В монокристаллах наиболее благоприятные условия для выхода частиц складываются в направлениях, где плотность упаковки атомов наибольшая. В этих направлениях образуются цепочки соударений (фокусоны), с помощью к-рых энергия и импульс смещённых частиц передаются с наименьшими потерями. Существенную роль при К. р. играет процесс каналирования ионов, определяющий глубину их проникновения в мишень (см. Каналирование заряженных частиц).

К. р. наблюдается при энергии ионов E выше нек-рой величины E0, наз. порогом К. р. Значения E0 для различных элементов колеблются от единиц до неск. десятков эв. Количественно К. р. характеризуется коэфф. распыления S, равным числу атомов, выбитых одним ионом. Вблизи порога S очень мало (10-5 атомов/ион), а при оптимальных условиях S достигает неск. десятков. Величина S не зависит от давления газа при малых давлениях р < 13,3 н/м2 (0,1 мм рт. ст.), но при р > 13,3 н/м2 (0,1 мм рт. ст.) происходит уменьшение S за счёт увеличения числа частиц, осаждающихся обратно на поверхность. На величину S влияют как свойства бомбардирующих ионов - их энергия Ei(рис. 1), масса Mi (рис. 2), угол падения а на мишень (рис. 3), так и свойства распыляемого вещества - чистота поверхности, температура, кристаллическая структура, масса атомов мишени.

Угловое распределение частиц, вылетающих с распыляемой поверхности, анизотропно. Оно зависит от энергии ионов, а для монокристаллов также от типа кристаллич. решётки и строения распыляемой грани. Осадок из распыляемого вещества, образующийся на экране, имеет вид отдельных пятен, причём симметрия картины осадка та же, что и симметрии распыляемой грани и образовавшихся на ней в результате К. р. фигур травления (рис. 4). Энергии распылённых частиц колеблются от неск. долей эв до величин порядка энергии первичных ионов. Средние энергии распыляемых частиц составляют обычно десятки эв и зависят от свойств материала мишени и характеристик ионного пучка.


Рис. 1. Зависимость коэффициента распыления 5 медной мишени от энергии E бомбардирующих ионов.

Рис. 2. Зависимость коэффициента распыления S от массы бомбардирующих ионов Mi (Ei = 400 эв).

Рис. 3. Зависимость S от угла падения а ионов, бомбардирующих поверхность Cu, Та, Fe, Pt (цифры указывают энергию ионов).

Рис. 4. Вверху -осадок, образующийся на прозрачном экране, расположенном параллельно распыляемой грани монокристалла Cu [а -грани (100), 6 -грани (110), в - грани (Ul)], внизу-углубления, возникающие при этом на поверхностях граней.

Лит.: Моргулис H. Д., Катодное распыление, "Успехи физических наук", 1946, т. 28, в. 2 - 3, с. 202; Плешив-цев H. В., Катодное распыление, M., 1968; Каминский M., Атомные и ионные столкновения на поверхности металла, пер. с англ., M., 1967; Томпсон M., Дефекты и радиационные повреждения в металлах, пер. с англ., M., 1971.

В. E. Юрасова.


КАТОДНЫИ ПОВТОРИТЕЛЬ, усилитель электрич. мощности, в к-ром вследствие сильной отрицат. обратной связи выходное напряжение, снимаемое с нагрузки в цепи катода электронной лампы, примерно равно напряжению (повторяет напряжение) на его входе. См. Повторитель.


КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, люминесценция, возникающая при возбуждении люминофора электронным пучком; один из видов радиолюминесценции. Первоначальное название пучка электронов - катодные лучи, отсюда термин "К.". Способностью к К. обладают газы, молекулярные кристаллы, органические люминофоры, кристаллофосфоры, однако только кристаллофосфоры стойки к действию электронного пучка и дают достаточную яркость свечения. Именно они и применяются в качестве катодо-люминофоров.

Для возбуждения К. достаточно, чтобы энергия возбуждающих электронов в ~ 1,5 раза превышала ионизационный потенциал кристаллофосфора. Однако применение таких медленных электронов не позволяет получать устойчивую

К.: электроны очень быстро заряжают поверхность люминофора отрицательно, и в результате возбуждающие электроны, отталкиваясь от неё, тормозятся и теряют энергию. При больших же энергиях электронов на поверхности люминофора возникает вторичная электронная эмиссия, и заряд люминофора уносится вторичными электронами. Поэтому в практике применяются пучки электронов с энергией от 100 эв до 25 кэв, а в нек-рых случаях, напр, в оптических квантовых генераторах,- до 1 Мэв.

Обладающие высокой энергией электроны, взаимодействуя с атомами решётки люминофора, ионизуют их, создавая второе поколение электронов, которые, в свою очередь, ионизуют др. атомы. Этот процесс продолжается до тех пор, пока энергия вырванных из атома электронов достаточна для ионизации. Электроны тормозятся в тонком слое люминофора (тоньше 10-4 см), поэтому плотность возбуждения очень высока. Образовавшиеся в результате ионизации дырки и электроны мигрируют по решётке и могут захватываться центрами свечения. При рекомбинации на центрах свечения электронов и дырок и возникает К. Центры свечения при К. те же, что и при фотовозбуждении, поэтому спектр К. аналогичен спектру фотолюминесценции. Кпд К. обычно составляет 1-10% , осн. же часть энергии электронного пучка переходит в тепло. К. широко применяется в технике, особенно в вакуумной электронике. К. обусловлено свечение экранов чёрно-белых и цветных телевизоров, различных осциллографов, электронно-оптических преобразователей и т. д. Явление К. положено в основу создания оптических квантовых генераторов, возбуждаемых электронным пучком, на AsGa, CdS, ZnS и др.

Лит.: Москвин А. В., Катодолюминесценция, ч. 1 - 2, М.-Л., 1948-49; Электр