БЭС:
Большой
Советский
Энциклопедический
Словарь

Термины:

ДРЕНАЖНЫЕ ТРУБЫ, часть конструкции горизонтального дренажа.
ЕДИНАЯ ДЕМОКРАТИЧЕСКАЯ ЛЕВАЯ ПАРТИЯ (Eniaia Demokratike Aristera, ЭДА).
ЖЕЛЕЗО САМОРОДНОЕ, по условиям нахождения различаются теллурическое.
ЖУРНАЛИСТСКОЕ ОБРАЗОВАНИЕ, система подготовки лит. сотрудников.
КАССОВЫЙ ПЛАН Госбанка СССР.
КЛИСТРОН [от греч. klyzo - ударять, окатывать (волной) и (элек)трон].
АЙСАН, озеро в межгорной котловине среди отрогов.
ЗАЩИТА ОРГАНИЗМА ОТ ИЗЛУЧЕНИЙ ионизирующих.
ЗЕРКАЛЬНО-ЛИНЗОВЫЙ ТЕЛЕСКОП, катадиоптрический телескоп.
ЗУБР (Bison bonasus), европейский дикий лесной бык.


Фирмы: адреса, телефоны и уставные фонды - справочник предприятий оао в экономике.

Большая Советская Энциклопедия - энциклопедический словарь:А-Б В-Г Д-Ж З-К К-Л М-Н О-П Р-С Т-Х Ц-Я

139861221536085229101 используемый для характеристики электрич. поля раствора электролитов. И. с. p. I = 1/2 [1026-1-13.jpg]miZ2i, где Zi - заряд ионов данного вида i, т - их моляльностъ в растворе (т. е. число грамм-ионов в 1 кг растворителя). В сильно разбавленных растворах некоторые свойства электролитов, и в частности коэффициент активности данного сильного электролита в растворе, зависят гл. обр. от И. с. р., что даёт возможность при приближённых расчётах пренебрегать зависимостью их от вида и концентрации содержащихся в растворе др. ионов.

ИОННАЯ ТЕОРИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ связывает возникновение возбуждения с движением ионов через поверхностную мембрану возбудимой клетки, что обусловливается изменением её ионной проницаемости. См. Мембранная теория возбуждения.

ИОННАЯ ФЛОТАЦИЯ, процесс извлечения находящихся в растворе ионов методом флотации, при к-ром в качестве реагентов-собирателей используются ио-ногенные поверхностно-активные вещества. И. ф. предложена в 50-х гг. 20 в. Ф. Себба (ЮАР). Для осуществления И. ф. в исходный раствор вводят пузырьки газа и собиратель. Последний образует в растворе поверхностно-активные ионы, заряд к-рьгх по знаку противоположен заряду извлекаемого иона. Соединение поверхностно-активных и извлекаемых ионов концентрируется на поверхности газовых пузырьков и выносится ими в пену. Затем пена отделяется от раствора и разрушается. Сконцентрированный в пенном продукте извлекаемый ион выделяется различными способами, зависящими от конкретных условий (природы иона и собирателя, целей И. ф. и т. д.).

И. ф. осуществляется во флотационных машинах (пневматич. и др.), сконструированных с учётом особенностей данного процесса. И. ф. обладает высокой производительностью и наиболее эффективна при низких концентрациях извлекаемых ионов (меньших 10-3-10-2 г*ион/л). И. ф. может применяться в гидрометаллургии, очистке сточных вод, аналитич. химии и др.

И.ф. могут извлекаться любые металлы, в первую очередь Mo, W, U, V, Pt.Ge, Re. В СССР сооружается пром. установка для И. ф- молибдена с помощью первичных аминов. Пенный продукт предполагается обжигать с получением технич. трёхокиси молибдена. Возможна также обработка горячими растворами соды. В этом случае молибден переходит в водный раствор и может быть осаждён в виде молибдата кальция, а амин (в форме основания) всплывает на поверхность водной фазы. После перевода в гидрохлорид его вновь можно использовать для И. ф.

Лит.: Себба Ф., Ионная флотация, пер. с англ., M., 1965; Кузькин С. Ф., Гольман A. M, Флотация ионов и молекул, M., 1971. A. M. Гольман.

ИОННАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ, электропроводность, обусловленная упорядоченным передвижением в веществе ионов.

ИОННАЯ ЭМИССИЯ, испускание положительных и отрицательных ионов поверхностью твёрдого тела или жидкости (эмиттер) в вакуум или газообразную среду. Ион, чтобы покинуть поверхность, должен обладать достаточно большой энергией для преодоления сил, удерживающих его на поверхности. Эта энергия может быть получена ионом при нагревании (термоионная эмиссия), при бомбардировке эмиттера (наз. в этом случае мишенью) пучком ионов (ионно-иониая эмиссия), электронами (электронно-ионная эмиссия) и фотонами (фотодесорбция). Во всех случаях И. э. может иметь место как эмиссия частиц самого эмиттера, так и примесных частиц, неизбежных в реальных материалах.

Термоионная эмиссия происходит в результате испарения в виде ионов частиц эмиттера или др. частиц, находящихся в эмиттере в виде примесей или попадающих на его поверхность извне. В последнем случае, а иногда и вообще термоионная эмиссия наз. поверхностной ионизацией. Количеств, характеристикой термоионной эмиссии является степень ионизации а, равная отношению числа ионов т к числу нейтральных частиц n0 того же химич. состава, испаряющихся с поверхности эмиттера за определённый промежуток времени. При этом выполняется соотношение:

[1026-1-14.jpg]

где Q0 и Qi - теплоты испарения частиц в нейтральном и ионном состояниях, k - Болъцмана постоянная, T - абс. темп-pa эмиттера, А - отношение статистических весов частиц в ионном и нейтральном состояниях. Величины Qt и Q0 связаны с работой выхода[1026-1-15.jpg] эмиттера и энергией ионизации V частиц (для положительных ионов) или энергией сродства к электрону S (для отрицательных ионов) соотношениями:

[1026-1-16.jpg]

Из (1) и (2) следует, что степень ионизации а тем выше, чем больше величина[1026-1-17.jpg] при И. э. положительных ионов и чем меньше [1026-1-19.jpg]при И. э. отрицательных ионов. При [1026-1-20.jpg] величина а, а следовательно, и ионный ток растут с ростом T (рис. 1). Плотность ионного тока j при термоионной эмиссии зависит не только от величины а, но и от скорости испарения частиц с поверхности.

[1026-1-18.jpg]

Рис. 1. Зависимость логарифма плотности ионного тока от температуры эмиттера T при испарении W и Re в виде положительных и отрицательных ионов.


Термоионная эмиссия используется для получения пучков ионов в ионных источниках для индикации слабых молекулярных пучков(напр., в квантовых стандартах частоты), для ионного внедрения примесей в полупроводники и т. п. В физико-химич. исследованиях термоионная эмиссия используется для определения энергии ионизации и сродства к электрону атомов, молекул и радикалов, тпеплот испарения и десорбции ионов и нейтральных частиц, энергии диссоциации молекул и т. д.

Если эмиттер находится в электрич. поле, ускоряющем испаряющиеся ионы, то теплота испарения ионов Qi уменьшается с ростом напряжённости поля E у поверхности эмиттера (Шотки эффект
[1026-1-21.jpg]

Рис. 2. Зависимость коэффициента К ионно-ионной эмиссии для различных вторичных ионов (Н-, H+, O+, Mo+) от скорости v в см/сек первичных ионов [H+(I), Ne+(2), Ar+ (3), Kr+(4)] при бомбардировке ими мишени из Mo.

для ионов); при T - Const это сопровождается, согласно (1), ростом величины а.

В сильных полях (E ~ 108 в/см) И. э. с большой вероятностью (а >> 1) происходит при комнатной и более низких темп-рах. В этом случае И. э. наз. полевой эмиссией (автоионной эмиссией, испарением поле м). Поля ~ 108 в/см создаются, напр., у поверхности тонких острий с радиусом закругления 100-1000 А. В таких электрич. полях могут испускаться не только однозарядные, но и двухзарядные ионы. Полевую И. э. можно рассматривать как испарение ионов через сниженный полем потенциальный барьер. Ионный ток растёт с увеличением поля E, причём в более слабых полях вылетают преим. ионы примесей.

Полевая И. э. используется для подготовки образца в ионном проекторе и в электронном проекторе. Для получения резкого изображения с помощью ионного проектора необходимо создать атомно-гладкую поверхность образца. Полевая И. э. сглаживает поверхность острия, т. к. у краёв и резких выступов электрич. поле сильнее, что приводит к предпочтительному испарению ионов с этих мест.

Ионно-ионная (вторичная ионная) эмиссия происходит при облучении поверхности пучком ионов (первичных). При этом наблюдается эмиссия (выбивание) вторичных ионов и нейтральных частиц (см. также Катодное распыление). В пучке вылетающих ионов присутствуют отражённые от поверхности первичные ионы (иногда изменившие знак заряда), ионы материала мишени и примесей. Ионно-ионная эмиссия характеризуется коэфф. эмиссии К, равным отношению потока вторичных ионов nвт данного типа к потоку геп первичных ионов, бомбардирующих поверхность. Обычно К составляет доли % для однозарядных ионов. Величина К зависит от материала мишени, её темп-ры, типа первичных ионов, их кинетич. энергии, угла падения на поверхность, состава и давления газа, окружающего мишень, и др. (рис. 2). Пространств, распределение вторичных ионов определяется энергией и углом падения первичных ионов. Средняя энергия вторичных ионов обычно не превышает 10 эв. Однако при наклонном падении быстрых ионов на мишень она может быть значительно выше. Ионно-ионная эмиссия применяется для изучения адсорбции,катализа, при исследовании свойств поверхности (см. Ионный микроскоп) и др.

Электронно-ионная эмиссия. Электрон при ударе о поверхность затрачивает часть кинетич. энергии на разрыв связи частицы эмиттера с поверхностью. При этом частица может покинуть поверхность в виде иона. Электронно-ионная эмиссия находит применение для изучения состояния адсорбированных частиц.

Фотодесорбция ионов. Поглощение светового фотона может привести к распаду молекулы мишени на ионы либо к ионизации атома или молекулы. Часть ионов, возникающих при этом, может покинуть поверхность.

Если эмиттер облучить интенсивным световым потоком (луч лазера мощностью вимпульсе ~ 108-109 вт/см2), то наблюдается выход ионов вещества мишени с зарядами различной кратности и даже полностью лишённых электронов (напр., Со27+). Источником ионов в этом случае является высокоионизованная плазма, образующаяся вблизи эмиттера при испарении вещества.

Лит,: Добрецов Л. H., Гомоюновa M. В., Эмиссионная электроника, M., 1966; Фогель Я. M., Вторичная ионная эмиссия, "Успехи физических наук", 1967, т. 91, в. 1, с. 75; 3акдберг Э. Я., Ионов H. И., Поверхностная ионизация, M., 1969; Каминский M., Атомные и ионные столкновения на поверхности металла, пер. с англ., M., 1967.

H. И. Панов, В. E. Юрасова.

ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ, ионное легирование, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями ~ 10- 100 кэв проникают на глубину 0,01- 1 мкм). При бомбардировке монокристаллов глубина проникновения частиц вдоль определённых кристаллографич. направлений резко возрастает (см. Kaналирование заряженных частиц).

При интенсивной бомбардировке на И. в. влияет катодное распыление мишени, а также диффузия внедрённых ионов и их выделение с поверхности. Существует макс, возможная концентрация внедрённых ионов, к-рая зависит от вида иона и мишени, а также от темп-ры мишени.

И. в. наиболее широко используется при введении примесей в полупроводниковые монокристаллы для создания требуемой примесной электропроводности полупроводника. Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся дефектов в кристалле, а также для того, чтобы внедрённые ионы заняли определённые места в узлах кристаллич. решётки. И. в. позволяет вводить в разные полупроводниковые материалы точно дозированные количества почти любых химич. элементов. При этом можно управлять распределением внедрённых ионов по глубине путём изменения энергии ионов, интенсивности и направления ионного пучка относительно кристаллографич. осей. И. в. позволяет создать в полупроводниковом кристалле электронно-дырочный переход на малой глубине, что увеличивает, напр., предельную частоту транзисторов.

Лит.: Мейер Дж., Эриксон А., Девис Д ж., Ионное легирование полупроводников (кремний, германий), пер. с англ., M., [в печати]; Легирование полупроводников ионным внедрением, пер. с англ., M., 1971. Ю. В. Мартыненко.

ИОННОЕ ПРОИЗВЕДЕНИЕ ВОДЫ, произведение концентраций (точнее активностей) ионов водорода H+ и ионов гидроксила ОН- в воде или в водных растворах: Кв = [H+] [OH-]. См. Водородный показатель.

ИОННО-СОРБЦИОННЫЙ НАСОС, вакуумный насос, в к-ром химически активные газы удаляются за счёт сорбции их геттерами, а инертные газы - в результате интенсивной ионизации в виде ионов под действием электрич. поля. С помощью И.- с. н. достигают разрежения 10-7 н/м2 (10-9 мм рт. ст.).

ИОННО-ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ, испускание электронов поверхностью твёрдого тела в вакуум под действием ионной бомбардировки. Явление И.-э.э. используется в электронных умножителях, электронных микроскопах, а также при изучении физики плазмы, структуры твёрдых тел и дефектов этой структуры.

Лит. см. при ст. Электронная эмиссия.

ИОННЫЕ КРИСТАЛЛЫ, кристаллы, в которых сцепление частиц обусловлено преим. ионными химич. связями (см. Ионная связь). И. к. могут состоять как из одноатомных, так и из многоатомных ионов. Примеры И. к. первого типа - кристаллы галогенидов щелочных и щёлочноземельных металлов, образованные положительно заряженными ионами металла и отрицательно заряженными ионами галогена (NaCl, CsCl , CaF2, см. рис.).

[1026-1-22.jpg]

Строение некоторых ионных кристаллов.


Примеры И. к. второго типа - нитраты, сульфаты, фосфаты, силикаты и др. соли этих же металлов, где отрицательные ионы кислотных остатков состоят из неск. атомов. Кислотные остатки могут объединяться в длинные цепи, слои, а также образовывать трёхмерный каркас, в пустотах к-рого размещаются ионы металла. Такие образования встречаются, напр., в кристаллич. структурах силикатов (см. также Кристаллохимия). П. м. Зоркий.

ИОННЫЕ ПРИБОРЫ, газоразрядные приборы, электровакуумные приборы, действие к-рых основано на использовании различных видов электрических разрядов в газе (инертных газах, водороде) или парах металла. Простейший И. п. представляет собой диод, баллон к-рого наполнен инертным газом или парами ртути. Свойства И. п. определяются взаимодействием электронного потока с газовой средой и электрич. полем между электродами (анодом и термоэлектронным или холодным катодом). При движении от катода к аноду электроны, соударяясь с атомами и молекулами газа, ионизируют их; в пространстве между электродами И. п. образуются электроны и положительно заряженные ионы. Вследствие компенсации пространств, заряда электронов положит, ио-ыами в И. п. можно получить очень боль-шве силы токов при небольшой разности потенциалов (падении напряжения) между электродами, что недостижимо в др. типах электровакуумных приборов. Для управления моментом возникновения разряда в И. п. применяют дополнит, электроды (сетки, вспомогат. аноды и др.). Электрич. разряды в большинстве случаев сопровождаются излучением света (свечением), характерного для данного газа спектрального состава. Насчитывается более 50 классов И. п., работа к-рых основана на использовании отд. свойств того или иного вида разряда, гл. обр. тлеющего разряда, дугового разряда, искрового разряда, коронного разряда.

Приборы тлеющего разряда (сигнальные лампы, стабилитроны, тиратроны с холодным катодом, декатро-ны, цифровые индикаторные лампы, матричные индикаторные панели и др.) составляют наиболее многочисл. и важную группу И. п. Давление газа в них - десятки н/м2; сила тока не превышает несколько десятков ма; долговечность - десятки тыс. часов. Они имеют малые габариты и массу. Однако быстродействие таких приборов не превышает сотен мксек (рабочая частота - десятков кгц).

В приборах дугового разряда, гл. обр. с подогревным катодом, давление газа составляет десятые доли н/м2. Такие приборы (газотроны, тиратроны, клипперные приборы, тиситроны и др.) имеют низкое внутр. сопротивление (десятки ом), падение напряжения в них 10-20 в (в импульсном режиме - 100- 200 в). Долговечность их ограничена постепенным разрушением катода и понижением давления (жестчением ) наполняющего газа. Для увеличения долговечности приборов используют жидкий ртутный катод (ртутные вентили, игнитроны). Приборы с таким катодом способны пропускать ток силой до неск.