БЭС:
Большой
Советский
Энциклопедический
Словарь

Термины:

ДРЕНАЖНЫЕ ТРУБЫ, часть конструкции горизонтального дренажа.
ЕДИНАЯ ДЕМОКРАТИЧЕСКАЯ ЛЕВАЯ ПАРТИЯ (Eniaia Demokratike Aristera, ЭДА).
ЖЕЛЕЗО САМОРОДНОЕ, по условиям нахождения различаются теллурическое.
ЖУРНАЛИСТСКОЕ ОБРАЗОВАНИЕ, система подготовки лит. сотрудников.
КАССОВЫЙ ПЛАН Госбанка СССР.
КЛИСТРОН [от греч. klyzo - ударять, окатывать (волной) и (элек)трон].
АЙСАН, озеро в межгорной котловине среди отрогов.
ЗАЩИТА ОРГАНИЗМА ОТ ИЗЛУЧЕНИЙ ионизирующих.
ЗЕРКАЛЬНО-ЛИНЗОВЫЙ ТЕЛЕСКОП, катадиоптрический телескоп.
ЗУБР (Bison bonasus), европейский дикий лесной бык.


Фирмы: адреса, телефоны и уставные фонды - справочник предприятий оао в экономике.

Большая Советская Энциклопедия - энциклопедический словарь:А-Б В-Г Д-Ж З-К К-Л М-Н О-П Р-С Т-Х Ц-Я

139861221536085229101ют неск. положений равновесия.
[825-3.jpg]

Рис. 2. Поляризация диэлектриков в поле Е: а-ионная и электронная поляризации ионных кристаллов; б-электронная поляризация ковалентных кристаллов; в-орнентационная поляризация полярных диэлектриков.

Поляризацию Д. характеризуют вектором поляризации P, к-рый представляет собой дипольный момент единицы объёма Д. Дипольный момент нейтральной в целом системы зарядов есть вектор, равный произведению расстояния между центрами тяжести положительных и отрицательных зарядов на величину заряда одного знака. Направлен этот вектор от центра тяжести отрицательных к центру тяжести положительных зарядов. Вектор P зависит от напряжённости электрич. поля Е. Поскольку сила, действующая на заряд, пропорциональна Е, то, естественно, что при малых полях величина P пропорциональна Е. Коэфф. пропорциональности x в соотношении P = xЕ наз. диэлектрической восприимчивостью Д. Часто оказывается удобным вместо вектора P пользоваться вектором электрич. индукции D = Е + 4пP.

Коэфф. пропорциональности Е в соотношении D = еЕ наз. диэлектрической проницаемостью. Ясно, что е = 1 + 4пx.

В вакууме х = 0 и е = 1 (в системе единиц СГСЕ). Значение е (или и) является основной характеристикой Д.

В анизотропных Д. (напр., в некуби ческих кристаллах) направление вектора поляризации P определяется не только направлением поля Е, но также выделенными направлениями среды, напр, осями симметрии кристалла. Поэтому вектор P будет составлять различные углы с вектором Е в зависимости от ориентации Е по отношению к осям симметрии. В результате вектор D будет определяться через вектор Е с помощью не одной величины е, а неск. величинами (в общем случае - шестью), образующими тензор диэлектрич. проницаемости (см. Анизотропия).

Д. в переменном поле. Если электрич. поле Е изменяется во времени, то величина поляризации в заданный момент времени t не определяется значением поля Е в тот же момент времени t. Поляризация Д. не успевает следовать за вызывающим её электрич. полем, т. к. смещения зарядов не могут происходить мгновенно (рис. 3).
[825-4.jpg]

Рис. 3 а, 6. Две характерные зависимости поляризации диэлектрика Р от времени t. Постоянное электрическое поле Е включается в момент времени t=0.

Т. к. любое переменное поле можно представить в виде совокупности полей, меняющихся по гармонич. закону (см. Фурье ряд, Фурье интеграл), то достаточно изучить поведение Д. в поле Е =Е0Х X cos wt, где w - частота переменного поля. Под действием такого поля величины D и P будут колебаться также гармонически с той же частотой со. Однако между колебаниями D и E будет существовать разность фаз, что вызвано отставанием поляризации P от поля Е.

Гармонический закон можно представить в комплексном виде: Е = Е0еiwt (см. Комплексная амплитуда). Тогда D = D0eiwt, причём амплитуды колебаний D к Е связаны соотношением: D0 = е (w) Е0. Диэлектрич. проницаемость е (со) в этом случае является комплексной величиной: е (w) = e1+ie2, и характеризуется двумя величинами e1 и e2, зависящими от частоты со пе-ременного поля. Абс. величина |е(w)| =КОРЕНЬ(е2+е2)= определяет амплитуду колебания D, а отношение (e1 / e2) = tg б определяет разность фаз б между колебаниями D к Е. Величина б наз. углом диэлектрических потерь. Это назв. связано с тем, что наличие разности фаз 8 приводит к поглощению энергии электрич. поля в Д. Действительно, работа, совершаемая полем Е в единице объёма Д., выражается интегралом ИНТЕГРАЛ EdР. Взятый за один период колебания, этот интеграл обращается в ноль, если Р и Е колеблются синфазно (б = 0) или в противофазе (б = п). В остальных случаях интеграл отличен от нуля. Доля энергии, теряемой за один период, равна e2. В постоянном электрич. поле (w = 0) е2 = 0, a e1 совпадает с е.

В переменных электрич. полях очень высоких частот (напр., электромагнитные волны оптич. диапазона) свойства Д. принято характеризовать преломления показателем п и поглощения показателем k (вместо e1 и e2). Коэфф. преломления п равен отношению скоростей распространения электромагнитных волн в Д. и в вакууме. Коэфф. поглощения k характеризует затухание элект-
[825-5.jpg]

Дисперсия диэлектрической проницаемости. Зависимость диэлектрич. проницаемости от частоты со переменного поля е (w) = e1 (w) + ie2 (w) наз. дисперсией диэлектрич. проницаемости. Характер дисперсии определяется процессом установления поляризации во времени. Если процесс установления поляризации - релаксационный (рис. 3, а), то дисперсия будет иметь вид, изображённый на рис. 4, а. Когда период колебания электрич. поля велик по сравнению с временем релаксации т (частота со мала по сравнению с 1/t), поляризация успевает следовать за полем и поведение Д. в переменном электрич. поле не будет существенно отличаться от его поведения в постоянном поле (т. е. e1 = e, e2= 0, как на рис. 3, а). При частотах w >> 1/t Д. не будет успевать поляризироваться, т. е. амплитуда P будет очень мала по сравнению с величиной поляризации Л в постоянном поле. Это значит, что е1 ~~ 1, а e2 ~ 0. Т. о., e1 с ростом частоты изменяется от е до 1. Наиболее резкое изменение e1 происходит как раз на частотах w ~ 1/t. На этих же частотах e2 проходит через максимум. Такой характер дисперсии Е (w) наз. релаксационным. Если поляризация в процессе установления испытывает колебания, как показано на рис. 3, б, то дисперсия Е (w) будет иметь вид, изображённый на рис. 4, 6. В этом случае характер дисперсии наз. резонансным.
[825-6.jpg]

Рис. 4. а-релаксационный характер дисперсии диэлектрической проницаемости е (w), соответствующий зависимости P(t), изображённой на рис. 3, а; б-резонансный характер дисперсии диэлектрической проницаемости e(w), _ соответствующий зависимости, изображённой на рис. 3, б.

В реальном веществе дисперсия e (w) имеет более сложный характер, чем на рис. 4. На рис. 5 изображена зависимость Е (w), характерная для широкого класса твёрдых Д. Из рис. 5 видно, что можно выделить неск. областей дисперсии в разных диапазонах частот. Наличие этих, обычно чётко разграниченных, областей указывает на то, что поляризация Д. обусловлена различными механизмами. Напр., в ионных кристаллах поляризацию можно представить как сумму ионной и электронной поляризаций. Типичные периоды колебаний ионов ~ 10-13 сек. Поэтому дисперсия e (w), обусловленная ионной поляризацией, приходится на частоты ~ 1013 гц (инфракрасный диапазон). Характер дисперсии обычно резонансный. При более высоких частотах ионы уже не успевают смещаться и весь вклад в поляризацию обусловлен электронами. Характерные периоды колебаний электронов определяются шириной запрещённой зоны Д. Когда энергия фотона hw (h - Планка постоянная) становится больше ширины запрещённой зоны, фотон может поглотиться, вызвав переход электрона через запрещённую зону. В результате электромагнитные волны на таких частотах (w ~ 1015гц -ультрафиолетовый диапазон) сильно поглощаются, т. е. резко возрастает величина e2. При меньших частотах (в частности, для видимого света) чистые однородные Д., в отличие от металлов, обычно прозрачны. В полярных Д. под действием электрического поля происходит ориентация диполей. Характерные времена установления поляризации при таком ориентационном механизме сравнительно велики: t ~ 10-6-10-8 сек (диапазон сверхвысоких частот). Характер дисперсии при этом обычно релаксационный. Т. о., изучая зависимость Е (w), можно получить сведения о свойствах Д. и выделить вклад в поляризацию от различных механизмов поляризации.
[825-7.jpg]

Рис. 5. Зависимость e1 твёрдого диэлектрика от частоты to поля Е.

Диэлектрическая проницаемость разных веществ. Статическое значение диэлектрич. проницаемости Е существенно зависит от структуры вещества и от внеш. условий (напр.,от темп-ры), обычно меняясь в пределах от 1 до 100-200 (у сегнетоэлектриков до 104-103, табл. 1).

Табл. 1. - Диэлектрическая проницаемость Е некоторых твёрдых диэлектриков

Диэлектрик

e 6,3
Рутил, TiO2 (вдоль оптич. оси)

170
Алмаз, С

5,7
Кварц, SiO2

4,3
Лёд, Н2О(при -5°С)

73
Титанат бария, ВаТiO3(при 20 °С перпендикулярно оптич. оси)

4000

Такой разброс значений е объясняется тем, что в разных веществах осн. вклад в Ё на низких частотах дают различные механизмы поляризации. В ионных кристаллах наиболее существенна ионная поляризация. На высоких частотах (w => 1014 гц) значения е (w) для разных ионных кристаллов близки к 1. Это обусловлено тем, что вклад от электронной поляризации, к-рая для этих частот только и имеет место, невелик. В ковалентных кристаллах, где основной вклад в поляризацию даёт перераспределение валентных электронов, ста-тич. проницаемость Е мало отличается от высокочастотной e1(w). При этом величина Е зависит от жёсткости ковалент-ной связи, к-рая тем меньше, чем уже запрещённая зона Д. Напр., для алмаза (Д = 5,5 эв) e = 5,7. Для кремния (Д = 1,1 эв) e = 12. Большой вклад в EI даёт ориентационная поляризация.

Поэтому в полярных Д. е сравнительно велика, напр, для воды е = 81.

Методы измерения диэлектрич. проницаемости различны для разных частот (см. Диэлектрические измерения).

Поляризация диэлектриков в отсутствии электрического поля. До сих пор рассматривались Д., в к-рых поляризация возникала под действием внеш. электрич. поля. Однако в ряде твёрдых Д. наличие поляризации может быть вызвано др. причинами. В пироэлектри-ках поляризация существует и без электрич. поля. В таких кристаллах заряды располагаются столь несимметрично, что центры тяжести зарядов противоположного знака не совпадают, т. е. Д. спонтанно (самопроизвольно) поляризован. В пьезоэлектриках поляризация возникает при деформировании кристалла. Это связано с особенностями строения кристал-лич. решётки таких веществ (см. Пьезоэлектричество).

Большой интерес представляют сегне-тоэлектрики, к-рые являются особой разновидностью пироэлектриков. Спонтанная поляризация сегнетоэлектриков существенно меняется, в отличие от обычных пироэлектриков, под влиянием внешних воздействий (темп-ры, электрич. поля). Сегнетоэлектрики поэтому характеризуются очень большими значениями Е, сильной нелинейной зависимостью P от Е, доменной структурой (см. Домены) и наличием спонтанной поляризации лишь в определённом интервале температур. В этом смысле диэлектрич. свойства сегнетоэлектриков аналогичны магнитным свойствам ферромагнетиков.

Поляризация в отсутствии электрич. поля может наблюдаться также в нек-рых веществах типа смол и стёкол, наз. элект-ретами. Поляризованные при высоких темп-pax, а затем охлаждённые, электре-ты сохраняют достаточно долгое время поляризацию без поля.

Электропроводность Д. мала, однако всегда отлична от нуля (табл. 2). Носителями тока в Д. могут быть электроны и ионы. Электронная проводимость Д. обусловлена теми же причинами, что и электропроводность полупроводников. В обычных условиях, однако, электронная проводимость Д. мала по сравнению с ионной. Ионная проводимость может быть обусловлена перемещением как собств. ионов, так и примесных. Возможность перемещения ионов по кристаллу тесно связана с наличием дефектов в кристаллах. Если, напр., в кристалле есть вакансии (незанятые узлы кристаллич. решётки), то под действием поля ион может перескочить на соседнее с ним вакантное место. Во вновь образовавшуюся вакансию может перескочить следующий ион и т. д. В итоге происходит движение вакансий, к-рое приводит к переносу заряда через весь кристалл. Перемещение ионов может происходить и в результате перескоков ионов по междоузлиям. С ростом темп-ры ионная проводимость сильно возрастает. Заметный вклад в электропроводность Д. может вносить поверхностная проводимость.

Пробой. Электрич. ток в Д. пропорционален напряжённости электрич. поля Е (Ома закон). Однако в достаточно сильных полях ток нарастает быстрее, чем по закону Ома. При нек-ром критич. поле Епр наступает электрич. пробой Д. Величина Епр наз. электрической прочностью Д. (табл. 2). При пробое однородное токовое состояние становится неустойчивым и почти весь ток начинает течь по узкому каналу. Плотность тока } в этом канале достигает очень больших значений, что приводит к необратимым изменениям в Д.

Табл. 2. - Удельное сопротивление р и электрическая прочность Епр некоторых твёрдых диэлектриков, используемых в качестве изоляционных материалов

Диэлектрический материал

р, ом* см

Епр, в/см
Кварцевое стекло

1016-1018

2-3*105
Полиэтилен

1015-1016

4*105
Слюда

1014- 1 016

1-2*10"
Электрофарфор

1013-1014

3*105
Мрамор

108- 109

2-3*105

На рис. 6 приведена зависимость плотности тока j от напряжённости электрич. поля Е, рассчитанная в предположении, что ток однороден по сечению образца. Эта зависимость может быть описана соот-
[825-8.jpg]

тивление р не постоянная величина, как в законе Ома, а зависит от j. Дифференцируя это соотношение, получим выражение:
[825-9.jpg]

может стать отрицательной (дифференциальное отрицательное сопротивление). Состояние с отрицательным дифференциальным сопротивлением является неустойчивым и приводит к образованию канала тока при Е = Епр.
[825-10.jpg]

Рис. 6. Зависимость плотности тока j от напряжённости электрич. поля Е в диэлектрике; пунктир соответствует неустойчивым состояниям.

В твёрдых Д. различают тепловой и электрич. пробой. При тепловом пробое с ростом j растёт джоулево тепло и, следовательно, темп-pa Д., что приводит к увеличению числа носителей тока п. В результате р падает. При электрич. пробое с ростом j также возрастает число носителей и, а р с увеличением п падает.

В реальных Д. большую роль при пробое играют всегда присутствующие неоднородности. Они способствуют пробою, т. к. в местах неоднородности Е может локально возрасти. Необратимые изменения в Д., связанные с образованием токового канала при пробое, могут быть разного характера. Напр., в Д. образуется сквозное отверстие или Д. проплавляется по каналу. В канале могут протекать хим. реакции, напр, в органич. Д. осаждается углерод, в ионных Д. выпадает металл (металлизация канал а).

Электрич. прочность жидких Д. в сильной степени зависит от чистоты жидкости. Наличие примесей и загрязнений существенно понижает Епр. Для чистых, однородных жидких Д. ЕПР близка к ЕПР твёрдых Д.

Пробой в газах связан с механизмом ударной ионизации и проявляется в виде электрического разряда в газах.

Нелинейные свойства Д. Поляризация Д., как указывалось выше, пропорциональна напряжённости электрич. поля. Однако такая линейная зависимость справедлива только для электрич. полей, значительно меньших внутрикристалли-ческих полей Екр ~ 108в/см (см. Кристаллическое поле). Т. к. обычно ЕПР" "Екр, то в большинстве Д. не удаётся наблюдать нелинейную зависимость Р(Е) в постоянном электрич. поле. Исключение составляют Сегнетоэлектрики, где в определённом интервале темп-р (в сегнетоэлект-рич. области и вблизи точек фазовых пе